Huis > producten > Halfgeleider IC

Halfgeleider IC

Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
kwaliteit MBRS3200T3G fabriek

MBRS3200T3G

DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB
ONSEMI
kwaliteit MBRS240LT3G fabriek

MBRS240LT3G

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
ONSEMI
kwaliteit SS24T3G fabriek

SS24T3G

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
ONSEMI
kwaliteit MBR140ESFT1G fabriek

MBR140ESFT1G

Diode SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
ONSEMI
kwaliteit VS-E5PH3006L-N3 fabriek

VS-E5PH3006L-N3

Diode GEN PURP 600V 30A tot 247AD
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit VS-20ETS08-M3 fabriek

VS-20ETS08-M3

Diode GEN PURP 800V 20A TO220AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit MUR460RLG fabriek

MUR460RLG

Diode GEN PURP 600V 4A AXIAAL
ONSEMI
kwaliteit US1GHE3_A/H fabriek

US1GHE3_A/H

Diode GEN PURP 400V 1A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit RS1J fabriek

RS1J

Diode GEN PURP 600V 1A DO214AC
ONSEMI
kwaliteit NSR0240HT1G fabriek

NSR0240HT1G

Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
ONSEMI
kwaliteit GP02-40-E3/54 fabriek

GP02-40-E3/54

Diode GEN PURP 4KV 250MA DO204AL
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit MBRS2040LT3G fabriek

MBRS2040LT3G

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
ONSEMI
kwaliteit MURA120T3G fabriek

MURA120T3G

DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
ONSEMI
kwaliteit MBR0520LT1G fabriek

MBR0520LT1G

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
ONSEMI
kwaliteit BY448GP-E3/54 fabriek

BY448GP-E3/54

DIODE GP 1,65KV 1,5A DO204AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit ESH2DHE3_A/H fabriek

ESH2DHE3_A/H

Diode GEN PURP 200V 2A DO214AA
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit ES3G-E3/9AT fabriek

ES3G-E3/9AT

Diode GEN PURP 400V 3A DO214AB
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit SBAS16XV2T1G fabriek

SBAS16XV2T1G

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
ONSEMI
kwaliteit MURS360-M3/9AT fabriek

MURS360-M3/9AT

Diode GEN PURP 600V 3A DO214AB
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit ES1D-E3/5AT fabriek

ES1D-E3/5AT

Diode GEN PURP 200V 1A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit VS-1EQH01-M3/H fabriek

VS-1EQH01-M3/H

Diode GEN PURP 100V 1A DO220AA
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit SBAS16HT1G fabriek

SBAS16HT1G

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
ONSEMI
kwaliteit NSVBAS21HT3G fabriek

NSVBAS21HT3G

Diode GEN PURP 250V 200MA SOD323
ONSEMI
kwaliteit Bijgevolg is de vergunning van de bevoegde autoriteit van de lidstaat van herkomst niet van toepassing. fabriek

Bijgevolg is de vergunning van de bevoegde autoriteit van de lidstaat van herkomst niet van toepassing.

Diode Avalanche 1.3KV 1A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit SF1600-TR fabriek

SF1600-TR

DIODE Avalanche 1.6KV 1A SOD57
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit US1DFA fabriek

US1DFA

Diode GEN PURP 200V 1A SOD123FA
ONSEMI
kwaliteit VS-3EGU06-M3/5BT fabriek

VS-3EGU06-M3/5BT

Diode GEN PURP 600V 3A DO214AA
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit NSVR0340HT1G fabriek

NSVR0340HT1G

Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
ONSEMI
kwaliteit VS-E5TH0812-M3 fabriek

VS-E5TH0812-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit FFSP1065A fabriek

FFSP1065A

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
ONSEMI
kwaliteit VS-EPH3006-N3 fabriek

VS-EPH3006-N3

Diode GP 600V 30A TO247AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat: fabriek

Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

DIODE GEN PURP 600V 2.9A tot 277A
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit Bijlage A. fabriek

Bijlage A.

Diode AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit BYG23M-E3/TR fabriek

BYG23M-E3/TR

Diode Avalanche 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit NRVBA160NT3G fabriek

NRVBA160NT3G

Diode SCHOTTKY 60V 1A SMA
ONSEMI
kwaliteit HSM221CTL fabriek

HSM221CTL

Verwijderingsdiode, 0,1A, 85V
Renesas Electronics America Inc.
kwaliteit VS-12EWH06FN-M3 fabriek

VS-12EWH06FN-M3

Diode GEN PURP 600V 12A TO252
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit MSS1P6-M3/89A fabriek

MSS1P6-M3/89A

Diode SCHOTTKY 60V 1A
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit BYV26C-TAP fabriek

BYV26C-TAP

Diode Avalanche 600V 1A SOD57
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit EGF1T-E3/67A fabriek

EGF1T-E3/67A

Diode GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit SS2H10-E3/52T fabriek

SS2H10-E3/52T

Diode SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit S3M-E3/57T fabriek

S3M-E3/57T

Diode GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit RGF1D-E3/67A fabriek

RGF1D-E3/67A

Diode GEN PURP 200V 1A DO214BA
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit SBYV26C-E3/54 fabriek

SBYV26C-E3/54

Diode GEN PURP 600V 1A DO204AL
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit Bijlage A. fabriek

Bijlage A.

Diode Avalanche 200V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit V2FM15HM3/H fabriek

V2FM15HM3/H

Diode SCHOTTKY 150V 2A DO219AB
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit S2JHE3_A/H fabriek

S2JHE3_A/H

Diode GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit ES1DHE3_A/H fabriek

ES1DHE3_A/H

Diode GEN PURP 200V 1A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit SS1FH10HM3/H fabriek

SS1FH10HM3/H

Diode SCHOTTKY 100V 1A DO219AB
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
kwaliteit S3JHE3_A/H fabriek

S3JHE3_A/H

Diode GEN PURP 600V 3A DO214AB
Vishay General Semiconductor - Dioden divisie
41 42 43 44 45