logo
Huis > producten > Halfgeleider IC > SMMBT5551LT1G

SMMBT5551LT1G

fabrikant:
ONSEMI
Beschrijving:
Bipolaire transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
Categorie:
Halfgeleider IC
Specificaties
Transistorpolariteit:
NPN
Productcategorie:
Bipolaire Transistors - BJT
Maximale DC-collectorstroom:
0.06 A
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
van de soort gebruikt voor de vervaardiging van motorvoertuigen
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Configuratie:
Alleenstaande
Het Voltage van de collectorbasis VCBO:
180 V
Reeks:
MMBT5551L
Het Voltage van de zenderbasis VEBO:
6 V
Vervaardiging:
ONSEMI
Inleiding
De SMMBT5551LT1G,van onsemi,is Bipolar Transistors - BJT. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: