MBRB20200CTT4G
fabrikant:
ONSEMI
Beschrijving:
Diode-array SCHOTTKY 200V D2PAK
Categorie:
Halfgeleider IC
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten
Dioden
Rectificatoren
Diode-arrays
Productstatus:
Actief
Strom - Gemiddeld gerectificeerd (Io) (per diode):
10A
Werktemperatuur - Kruispunt:
-65 °C ~ 150 °C
Spanning - naar voren (Vf) (max) @ Als:
900 mV @ 10 A
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Snijdband (CT)
Digi-Reel®
Reeks:
SWITCHMODE™
Diodeconfiguratie:
1 Paar gemeenschappelijke kathode
Verpakking van de leverancier:
D ² PAK
Mfr:
ONSEMI
technologie:
Schottky
Pakket / doos:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Spanning - gelijkstroom omgekeerd (Vr) (max):
200 V
Montage-type:
Oppervlakte
Versnelling:
Vinnige herstel = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproductnummer:
MBRB20200
Stroom - omgekeerd lek @ Vr:
1 mA @ 200 V
Inleiding
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 200 V 10A Oppervlakte-montage TO-263-3, D2Pak (2 leidingen + tab), TO-263AB
Verwante producten
High Speed Dual Inverting MOSFET halfgeleider IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
High Speed Dual Inverting MOSFET halfgeleider IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
