logo
Bericht versturen
Huis > producten > Halfgeleider IC > IRFL210TRPBF

IRFL210TRPBF

fabrikant:
Vishay Siliconix
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Categorie:
Halfgeleider IC
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten Transistors FET's, MOSFET's Eénvoudige FET's, MOSFET's
FET Eigenschap:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Werktemperatuur:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Pakket / doos:
TO-261-4, TO-261AA
Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs:
8.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.5 Ohm @ 580mA, 10V
FET-type:
N-kanaal
Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Pakket:
Tape & Reel (TR) Snijdband (CT) Digi-Reel®
Drain naar bronspanning (Vdss):
200 V
Vgs (max):
±20V
Productstatus:
Actief
Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds:
140 pF @ 25 V
Montage-type:
Oppervlakte
Reeks:
-
Verpakking van de leverancier:
Dronkaard-223
Mfr:
Vishay Siliconix
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C:
960mA (Tc)
(Maximum) machtsdissipatie:
2W (Ta), 3,1W (Tc)
technologie:
MOSFET (Metaaloxide)
Basisproductnummer:
IRFL210
Inleiding
N-kanaal 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Oppervlakte SOT-223
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: