logo
Bericht versturen
Huis > producten > Halfgeleider IC > NTBG025N065SC1

NTBG025N065SC1

fabrikant:
ONSEMI
Beschrijving:
MOSFET van siliciumcarbide (SIC) - 1
Categorie:
Halfgeleider IC
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten Transistors FET's, MOSFET's Eénvoudige FET's, MOSFET's
FET Eigenschap:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 15.5mA
Werktemperatuur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Pakket / doos:
Aan-263-8, D ² Pak (7 Lood + Lusje), aan-263CA
Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs:
164 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28.5mOhm @ 45A, 18V
FET-type:
N-kanaal
Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On):
15V, 18V
Pakket:
Tape & Reel (TR) Snijdband (CT) Digi-Reel®
Drain naar bronspanning (Vdss):
650 V
Vgs (max):
+22V, -8V
Productstatus:
Actief
Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds:
3480 pF @ 325 V
Montage-type:
Oppervlakte
Reeks:
-
Verpakking van de leverancier:
D2pak-7
Mfr:
ONSEMI
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C:
106A (Tc)
(Maximum) machtsdissipatie:
395W (Tc)
technologie:
SiCFET (Siliciumcarbide)
Basisproductnummer:
NTBG025
Inleiding
N-kanaal 650 V 106A (Tc) 395W (Tc) Oppervlakte D2PAK-7
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: