logo
Bericht versturen
Huis > producten > Halfgeleider IC > NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1

fabrikant:
ONSEMI
Beschrijving:
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Categorie:
Halfgeleider IC
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten Transistors FET's, MOSFET's Eénvoudige FET's, MOSFET's
FET Eigenschap:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 5mA
Werktemperatuur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Pakket / doos:
Aan-247-4
Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110 mOhm @ 20A, 20V
FET-type:
N-kanaal
Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On):
20V
Pakket:
Buis
Drain naar bronspanning (Vdss):
1200 V
Vgs (max):
+25V, -15V
Productstatus:
Actief
Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds:
1670 pF @ 800 V
Montage-type:
Door het gat
Reeks:
Automobilerij, AEC-Q101
Verpakking van de leverancier:
Aan-247-4L
Mfr:
ONSEMI
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C:
29A (Tc)
(Maximum) machtsdissipatie:
170 mW (Tc)
technologie:
SiCFET (Siliciumcarbide)
Basisproductnummer:
NVH4L080
Inleiding
N-kanaal 1200 V 29A (Tc) 170mW (Tc) door gat TO-247-4L
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: